Учёные смогли создать нано-светодиод огромной яркости
Разработку и испытание необычной структуры мельчайших светодиодов, способных светить в тысячу раз ярче обычных, и даже превращаться в полупроводниковый лазер, провели исследователи из Университета Мэриленда, Политехнического института Ренсселера и Исследовательского центра IBM им. Томаса Дж. Ватсона под руководством ученых из Национального института стандартов и технологий США (NIST), об этом 15 августа сообщает 3DNews.
Новое решение показало яркость от 100 до 1000 раз больше, чем обычные полупроводниковые светодиоды субмикронных размеров. При этом для производства нового устройства использовались ровно те же самые материалы, что и для обычных светодиодов, различалась только форма частей светодиода.
«Мы используем те же материалы, что и в обычных светодиодах. Наша разница (заключается — прим. ИА Красная Весна) в их форме», ― сказал руководитель проекта, учёный из NIST Бабак Никобахт (Babak Nikoobakht).
Изначально ученые планировали решить проблему падения эффективности светодиодов, когда при увеличении тока, идущего на светодиод, с определенного уровня начинает падать его яркость. Однако вместе с решением данной проблемы, они неожиданно для себя нашли конструкцию светодиода, которая может работать в тысячу раз эффективнее.
Построенная по новой схеме вертикальная конструкция светодиода излучала свет мощностью до 20 мкВт, тогда как сходный по площади «плоский» светодиод мог излучать не более 22 нВт, что в 100–1000 раз слабее.
Вторым сюрпризом стало то, что при увеличении тока, светодиод начинал испускать всего две волны в спектре жесткого ультрафиолетового излучения, то есть фактически становился полупроводниковым лазером.
Данное открытие в будущем может привести к существенному изменению полупроводниковой техники, коммуникационного оборудования, жидкокристаллических экранов и так далее.
