Израильская компания заявила, что поборола главную проблему памяти ReRAM

Решение проблемы с плотностью хранения данных и токами утечки в памяти ReRAM нашла израильская компания Weebit Nano, 28 января сообщается на сайте сообщества инженеров-электронщиков All About Circuits.

Резистивная память с произвольным доступом (ReRAM, RRAM) относится к постоянной (энергонезависимой) памяти при скорости работы, сопоставимой с оперативной памятью. При этом она обладает хорошей устойчивостью к неблагоприятным условиям. Например, к температурным воздействиям.

Существующие образцы памяти не позволяют создавать энергоэффективные модули с большой плотностью хранения. Это вызвано как габаритами ячейки типа один транзистор — 1 резистор (1T1R), так и токами утечки на транзисторе.

В Weebit Nano заявили, что решили эту проблему, заменив транзистор на селектор, детальная информация о котором пока не раскрывается. Структура селектор — резистор (1S1R) решает сразу обе основные проблемы памяти и открывает путь к созданию чипов с высокой плотностью и энергоэффективностью.

Автор статьи — инженер-электротехник Джейк Герц отмечает, что ранее исследователи пытались использовать в качестве селектора пороговые переключатели OTS. Вероятно, что в Weebit Nano пошли по тому же пути, но добились практических результатов.