SK Hynix начала массовое производство памяти HBM3 для компании Nvidia

Массовое производство высокоскоростной оперативной памяти HBM3 для ускорителей компании Nvidia начал южнокорейский производитель SK Hynix, 9 июня сообщает американское интернет-издание о компьютерных технологиях Tom’s Hardware.

В компании заявили, что массовое производство памяти HBM3 начато. Модули памяти будут использованы в серверных графических ускорителях Nvidia H100, которые будут работать в составе вычислительных узлов DGX H100.

На данный момент SK Hynix является единственным производителем памяти, который запустил массовое производство HBM3. Это даст компании некоторые конкурентные преимущества по отношению к другим лидерам рынка — Samsung и Micron.

Компания производит модули памяти с 8 или 12 микросхем емкостью 2 Гб каждая. Соответственно, объем модуля составляет 16 либо 24 Гб. Такая память имеет пиковую пропускную способность 819 Гб/с. Пиковая пропускная способность модуля с восемью чипами составляет около 6,4 ТТ/с.

Графические ускорители Nvidia H100 получили 96 Гб HBM3. В них установлено шесть модулей по 16 Гб каждый. Из-за включения функций контроля целостности и некоторых других факторов пользователю доступно около 80 Гб.

В дальнейшем планируется начать выпуск модулей HBM3 большего объема, начиная с емкости 32 Гб.