Высококачественный электронный материал получили в Швеции

Способ получения перспективного материала для использования в электронике разработали исследователи из университета Линчепинга в Швеции, 26 июня сообщает журнал phys.org.

Нитрид индия является одним из многообещающих материалов для применения его в качестве полупроводника в высокочастотной электронной технике.

«Поскольку электроны очень легко проходят через нитрид индия, можно передавать сигналы с чрезвычайно высокими частотами. Это означает, что нитрид индия может быть использован в высокочастотной электронике, где он может обеспечить, например, беспроводную передачу данных на гораздо более высоких частотах», — говорит Хенрик Педерсен, профессор неорганической химии на кафедре физики, химии и биологии Линчепингского университета.

Однако сложность заключается в его получении. Он начинает разлагаться при температуре 600 градусов Цельсия. А основным методом получения материалов для современной электроники является метод CVD — метод плазменного осаждения из паровой фазы, проходящий при температуре от 800 до 1000 градусов Цельсия.

Ученые, проводившие настоящее исследование, использовали вариант CVD, известный как атомно-слоевое осаждение или ALD, в котором используются более низкие температуры. Они разработали техпроцесс, в котором сначала получается промежуточная молекула, известная как триазенид индия. В процессе осаждения на подложку эта промежуточная молекула разлагается до нитрида индия.

Оказалось, что молекула триазенида является отличным исходным материалом для изготовления тонких пленок нитрида индия.