SK hynix будет строить завод в Индиане на грант от США
Компания-производитель чипов SK hynix из Южной Кореи намерена получить американский грант на сумму до $450 млн (38,5 млрд руб.) от правительства США на развертывание профильного производства в штате Индиана, сообщает агентство Yonhap 6 августа со ссылкой на заявление фирмы.
Компания и министерство торговли США подписали «необязывающий предварительный меморандум об условиях», предусматривающий предоставление федеральных льгот на сумму до 450 миллионов долларов (38,5 млрд руб.) в соответствии с законом США «О чипах и науке» для создания предприятия по производству усовершенствованной упаковки для памяти с высокой пропускной способностью (HBM) и проведению исследований и разработок, сообщили в компании.
В апреле компания объявила о плане инвестировать $3,87 миллиарда (330 млрд руб.) в строительство производственной площадке в Вест-Лафайетте.
«Мы с нетерпением ожидаем создания нового центра для технологий искусственного интеллекта, создания квалифицированных рабочих мест в Индиане и помощи в построении более надежной цепочки поставок для мировой полупроводниковой промышленности», — заявил генеральный директор SK hynix Квак Но Чжун.
Министр торговли США Джина Раймондо заявила, что планируемое строительство создаст около тысячи новых рабочих мест и заполнит «критический пробел в цепочке поставок полупроводников в США».
