Ученые создали технологию изготовления гибкой энергоэффективной памяти

Технологию изготовления памяти с малым потреблением электроэнергии на гибкой подложке разработали исследователи из Стэнфордского университета, сообщается 10 сентября на страницах издания Ars Technica.

Для создания памяти на гибкой подложке исследователи применили технологию Phase-change Random Access Memory (PRAM), которая предполагает многократное изменение фазового состояния вещества. Находясь в разных состояниях вещества, ячейка памяти может иметь разные сопротивления, в результате чего и происходит сохранение данных.

Для создания большого объема хранимых таким образом ячеек исследователи решили использовать в качестве теплоизолятора оксид алюминия. Сами ячейки создаются при помощи сплавов теллурида олова и теллурида олова с галлием.

После того, как они начали проводить эксперименты, выяснилось, что ячейка, изолированная оксидом алюминия, замечательно сохраняет тепло, необходимое для перевода ячейки в иное фазовое состояние. Таким образом для повторного ее нагревания требуется примерно в 100 раз меньшее количество электроэнергии, чем для неизолированной.

Кроме того, выяснилось, что количество допустимых изгибов гибкой памяти до радиуса в 8 мм достигает 200 циклов. При этом она позволяет считать с нее информацию около 1000 раз, что подтверждает ее энергонезависимость. Скорость работы памяти также осталась на высоком уровне.

Напомним, ранее сообщалось, что новый процессор Plastic ARM построен на гибкой подложке.