Объем производства составных полупроводников на Тайване вырос на 26%
Объем производства полупроводниковой продукции на основе составных полупроводников и сопутствующих услуг вырос за 2021 год на 26%, следует из отчета Ассоциации развития фотонной промышленности Китайской республики (PIDA), 21 января сообщает тайваньское издание об информационных технологиях и электронике DigiTimes.
В первую очередь спрос вырос на продукцию из таких соединений, как карбид кремния (SiC), нитрид галлия (GaN) и арсенид галлия (GaAs). Спрос на SiC и GaN связан с развитием силовой электроники — для изготовления компонентов для электромобилей и мощных зарядных устройств.
Спрос на GaAs вызван увеличением объемов компонентов для быстрых сетей беспроводной связи 5G и Wi-Fi 6, 6E и 7, а также других радиочастотных микросхем и усилителей мощности.
Совокупный объем производства полупроводниковой продукции на основе составных полупроводников еще сильно отстает от рынка кремниевой полупроводниковой продукции. Рост производства на 26% в 2021 году позволил достичь объема рынка в $3 млрд.
По мнению представителей PIDA, составные полупроводники могут стать драйвером роста тайваньской полупроводниковой промышленности в будущем. Ассоциация отмечает, что ряд компаний увеличивают мощности, связанные с выпуском изделий на составных полупроводниках в 10–30 раз в период до 2024 года.
Выпуск устройств на основе составных полупроводников планируют увеличить практически все тайваньские производители чипов и силовой электроники. Причем это не только к относительно простым силовым модулям на основе SiC, но и устройствам с использованием различных полупроводниковых материалов одновременно — GaN-on-Si, радиочастотные модули GaN-on-SiC и другие.
