Компания Micron объявила о начале поставок 232-слойных чипов флеш-памяти
Начало поставок микросхем передовой 232-слойной флеш-памяти TLC NAND объявила американская компания Micron Technology, 26 июля сообщает американское интернет-издание о компьютерных технологиях Tom’s Hardware.
В компании заявили, что новое поколение микросхем памяти обеспечивает увеличение емкости на кристалл по сравнению с прошлым поколением вдвое, а производительности — на 75%.
Плотность хранения данных в новой памяти повышена на 28%. Это позволяет упаковать микросхему емкостью 2 Тб в корпус размерами 25 на 25 мм. 176-слойные чипы предыдущего поколения выпускались с емкостью не более 1 Тб.
Плотность хранения данных в новых микросхемах достигает 14,6 Гб на 1 мм², что, по заявлениям компании, опережает результаты всех конкурентов. Также сообщается, что увеличение количество каналов ввода-вывода позволило поднять пропускную способность при записи вдвое, а при чтении — на 75%.
Поддержка низковольтового интерфейса NV-LPPDR4 позволило снизить потребление энергии на единицу информации на 30%. Новая память уже передана корпоративным заказчикам и нашла применение в неназываемой пока модели твердотельного накопителя (SSD) Crucial.
