Samsung создала прототип SSD накопителя с рекомендательным ИИ-процессором
Прототип твердотельного накопителя (SSD) со встроенным ускорителем систем искусственного интеллекта (Esperanto ET-SoC-1) представила компания Samsung 21 ноября на мероприятии Samsung Foundry.
В твердотельный накопитель был встроен уменьшенный вариант нейроускорителя Esperanto ET-SoC-1 для уменьшения нагрузки на PCI-E шину и центральный процессор, а также для ускорения работы систем с ИИ.
В августе 2021 года был представлен ИИ-ускоритель ET-SoC-1 разработки компании Esperanto Technologies. Система на кристалле (СнК, SoC) включает в себя 1088 ядер на архитектуре RISC-V, 160 Мб кэш-памяти SRAM и восьмиканальный контроллер оперативной памяти LPDDR4. Производится СнК по 7 нм техпроцессу на мощностях компании TSMC.
Компания Samsung заинтересовалась чипом. Поскольку он подразумевает модульную конструкцию, то в SSD был встроен чип с числом ядер от 32 до 128. Это позволило передать часть нагрузки по обработке данных с центрального процессора на сам накопитель. SSD сам отбирает требуемые данные для рекомендательных и подобных систем с использованием ИИ.
Помимо разгрузки центрального процессора такое решение позволило снизить загрузку шины PCI-E (с точки зрения обмена между процессором и системой постоянных накопителей) от 10 до 100 раз. SSD передает уже предварительно отобранные и подготовленные данные.
