В Германии разработали «идеальный» материал для флеш-памяти

Сотрудники Дрезденского технического университета, организовавшие собственную компанию Ferroelectric Memory Company (FMC), начали использовать для производства компьютерной памяти «идеальный» материал — аморфный оксид гафния (HfO2), сообщает 19 ноября издание EE Times.

Согласно сообщению, компания FMC в раунде «B» по сбору инвестиций уже привлекла $20 млн. Фирма разработала сегнетоэлектрическую энергонезависимую память (FeFET), которая имеет более высокие характеристики, чем традиционные виды памяти.

FMC смогла превратить HfO2 в кристаллическое вещество, которое позволяет создать ячейку энергонезависимой памяти FeFET. Это позволяет производить новый вид памяти без привлечения редких и дорогих материалов и без замены традиционного промышленного оборудования.

Первые чипы с памятью FeFET планируются к выпуску в 2023 году.