STMicroelectronics и GlobalFoundries решили совместно построить завод чипов

Изображение: (cc) Peellden
Полупроводниковая пластина
Полупроводниковая пластина
Полупроводниковая пластина

Меморандум о взаимопонимании по созданию совместного полупроводникового производства во Франции подписали американский производитель чипов GlobalFoundries и европейский STMicroelectronics, 22 июля пишет американский электронный журнал об электронике Semiconductor Digest.

Компании планируют построить завод по производству микросхем по технологии FD-SOI (полностью обедненный кремний-на-изоляторе, ниже энергопотребление, чем у КМОП — прим. ИА Красная Весна) на кремниевых пластинах диаметром 300 мм в Кроле, Франция.

Производство должно выйти на полную мощность в 620 тыс. пластин в год к 2026 году. 58% продукции планируется производит в интересах GlobalFoundries, 42% — для STMicroelectronics.

Обе компании имеют технологии производство чипов по технологии FD-SOI с технологическим процессом не менее 22 нм. Такой техпроцесс планируется использовать и на новом заводе в начале. Затем ожидается переход на 18 нм техпроцесс.

Финансовую поддержку в строительстве завода обеспечит правительство Франции, поскольку поможет добиться цели Евросоюза по производству 20% полупроводников в мире к 2030 году. Производство будет выпускать продукцию для автомобилей, систем интернета вещей, мобильных устройств и другие не требовательные к наиболее тонким техпроцессам изделия.