Стали известны подробности новой технологии флеш-памяти X-NAND
Подробностями новой технологии, которая легла в основу флеш-памяти X-NAND, поделился основатель американской компании NEO Semiconductor Энди Су, 14 ноября сообщило американское интернет-издание о компьютерных технологиях Tom’s Hardware.
Су сообщил новые подробности о X-NAND на конференции Flash Memory Summit 2020, которая прошла в виртуальном формате. Сама технология впервые представлена в 2018 году. Компания считает, что она, в первую очередь, подходит для систем хранения данных в сетях связи 5G.
X-NAND демонстрирует произвольные скорости чтения и записи в три раза выше, чем у памяти QLC (4 бита на ячейку памяти). Последовательные чтение и запись работают почти вдвое быстрее. При этом достигается аналогичная плотность.
Скорость, по сути, на уровне дорогой памяти SLC (1 бит на ячейку памяти) достигается за счет более плотного расположения слоев. Конструкция из 16 слоев по высоте занимает лишь 37% относительно 16 слоев памяти QLC.
Технология X-NAND позволяет работать с разным типом ячеек памяти одновременно. Она поддерживает шесть основных функций: запись нескольких битовых строк, многоплоскостное программирование QLC, приостановка программы, чтение нескольких битовых строк, чтение QLC с одним запором и параллельное программирование SLC/QLC.
NEO Semiconductor стремится к тому, чтобы технология была рентабельной, быстрой и простой для внедрения в существующие разработки. В компании заявили, что это особенно полезно в комбинации с флэш-памятью с более высокой плотностью, такой как QLC.
Технология позволит использовать большую емкость с балансом высокой производительности и меньшей площади кристалла. При этом будет хороший ресурс записи и меньшее потреблением энергии.
Технология, как считает Су, особенно важна для облачных хранилищ, центров обработки данных, встраиваемых систем и систем периферийных вычислений. Связано это с тем, что скорость и надежность флеш-памяти QLC в этих условиях не всегда устраивает.
