Samsung решил проблему создания 3D-микросхем для новейших техпроцессов

Решение проблемы создания многослойных микросхем для техпроцессов с самыми минимальными на сегодняшний день размерами структур предложил своим клиентам корейский Samsung, сообщила 13 августа пресс-служба компании.

Технология X-Cube позволяет создавать многослойные микросхемы для техпроцессов 7 нм и 5 нм, чего раньше нельзя было делать. При помощи этой технологии можно объединять в одном корпусе процессор и память, что значительно ускоряет скорость работы системы. Соединяются слои при помощи каналов с металлом, которые проходят через просверленные в микросхемах отверстия. Такая технология называется TSV.

С уменьшением размеров полупроводниковых структур на кристалле кремния микросхемы нужно просверливать отверстия все меньшего диаметра и со все более высокой точностью. Для самых передовых техпроцессов с размерами структур 7 нм и 5 нм эта задача до сих пор не была решена.

Напомним, Samsug использует технологию TSV при производстве более простых микросхем памяти, оперативной — DRAM и флеш (энергонезависимой) — NAND. Для микросхем памяти число слоев уже доходит до 128. Компания работает над 196-слойной памятью.

Технологиями 7 нм и 5 нм в мире обладают лишь две компании — Samsung и крупнейший производитель микросхем на заказ — тайваньская TSMC.