200-слойная флеш-память появится только в 2023 году — Digitimes
Флеш-память с 200 слоями появится в 2023 году, сообщил 2 февраля портал Digitimes со ссылкой на свои источники.
Ведущие производители памяти представят 200-слойную память не раньше конца 2022 года, считают источники портала в отрасли. Лидерами в этом направлении станут корейский Samsung и американская Micron.
Первый открыл во второй половине 2021 года новую фабрику в Пхёнтеке. В этому году она должна усилить выпуск флеш-памяти с 176 слоями. После перевода фабрики на новую технологию, ее мощность составит 50 000 кремниевых пластин в месяц.
Предприятие Samsung в китайском Сиане, которое выпускает 128-слойную память, также должно увеличить объемы производства. После ввода в эксплуатацию второй очереди фабрики, ее мощность должна увеличиться на 130 000-140 000 кремниевых пластин в месяц.
Компания намерена применить технологию двойного стека для производственного процесса для 176-слойной памяти. Это даст ей возможность ускорить переход к 200-слойной продукции.
Второй в мире поставщик флеш-памяти — японская Kioxia — пока не раскрыла своих планов по переходу на 200-слойные микросхемы. Однако известно, что она объявила о создании совместного производства с американской Western Digitial по производству 162-слойной памяти, которое должно начаться между 2022 и 2023 годами.
Корейская SK Hynix занимается реорганизацией своего бизнеса флеш-памяти после покупки подразделения Intel по производству 3D NAND памяти. Последняя, по информации источников, уже освоила технологию двойного стека, что может вплотную приблизить ее к выпуску 196-слойной памяти в 2023 году.
Американская Micron объявила, что первой в мире начала массовый выпуск 176-слойной памяти QKC NAND для твердотельных накопителей.
Крупнейший китайский производитель памяти YMTC занимается увеличением количества годных микросхем на своем производстве 128-слойной памяти.
Напомним, многослойная флеш-память позволяет размещать больше ячеек хранения информации на единицу площади, чем обычная планарная память. Сложность при разработке новых поколений такой технологии представляет собой соединение контактами микросхем, находящихся на разных слоях модуля.
Самым широко распространенным способом соединения является высверливание сквозных отверстий во всех слоях модуля и соединением их методом металлизации получившегося канала. Однако с уменьшением размеров структур на платах и увеличением количества слоев увеличиваются требования к точности сверления и его деликатности, чтобы кремниевые слои не растрескались.
