Samsung начнет производство 200-слойной памяти в этом году — Business Korea

Микросхемы по самой передовой технологии флеш-памяти начнет выпускать в конце 2022 года корейский Samsung, сообщил 9 февраля портал Business Korea со ссылкой на свои источники.

Компания собирается начать выпуск 200-слойных чипов 3D NAND флеш-памяти в конце текущего года. На данный момент Samsung выпускает 128-слойные чипы.

Сейчас технологическим лидером отрасли является американская Micron. Она уже начала массовый выпуск 176-слойных микросхем флеш-памяти в конце 2021 года. Samsung намерен догнать конкурента из США и также начать производство 176-слойных модулей 7-го поколения в первой половине 2022 года и перегнать, начав выпуск 200-слойных чипов 8-го поколения в конце года.

Samsung освоил технологию двойного стека. Micron и корейская SK Hynix тоже обладают этой технологией. Однако только Samsung может применить ее для микросхем с более, чем 100 слоями. Micron и SK Hynix могут объединять стеки только из 72 рядов. Поэтому Samsung, по мнению, специалистов может создать чипы из 224 слоев, объединив в один стек компоненты из 96 и 124 слоев.

SK Hynix ускоряет разработку новых технологий и намерена начать выпуск флеш-памяти с более чем 200 слоями в начале 2023 года.

Напомним, корейский Samsung в 2021 году стал крупнейшей полупроводниковой компанией в мире, опередив многолетнего лидера — американскую Intel. Толчком для рывка Samsung стал рост спроса и цен на компьютерную память.

Многослойная флеш-память позволяет размещать больше ячеек хранения информации на единицу площади, чем обычная планарная память. Сложность при разработке новых поколений такой технологии представляет собой соединение контактами микросхем, находящихся на разных слоях модуля.

Самым широко распространенным способом соединения является высверливание сквозных отверстий во всех слоях модуля и соединением их методом металлизации получившегося канала. Однако с уменьшением размеров структур на платах и увеличением количества слоев увеличиваются требования к точности сверления и его деликатности, чтобы кремниевые слои не растрескались.