Оперативную память DDR5 разогнали до 8 118 МТ/с
Разгон оперативной памяти нового поколения DRAM DDR5 до 8118 МТ/с осуществили специалисты подразделения XPG производителя памяти ADATA Technology, 8 октября сообщает международный новостной портал об информационных технологиях TechPowerUp.
Скорость обмена с оперативной памятью в 8 118 мегатранзакций в секунду является новым официально зафиксированным рекордом. В XPG осуществили разгон с использованием модуля оперативной памяти с базовой частотой 4 800 МТ/с.
Разгон осуществлен с профилем XPG 3.0 и модулем объемом 16 Гб. На опытном модуле были установлены чипы памяти SK Hynix. Задержки доступа при этом были установлены в значения CL — 50, tRCD — 50, tRP — 50, tRAS — 160 и TRC — 210 тактов. Напряжение питания не сообщается, но оно было не менее 1,35 В.
В XPG пообещали представить новые модули DDR5 с высоким разгонным потенциалом в октябре 2021 года. Линейка модулей памяти, которую готовят в XPG, предназначена для любителей разгона производительности и игроков в компьютерные игры.
