Компания из США договорилась о производстве чипов на новых транзисторах
Соглашение о совместной разработке полупроводниковой продукции на базе новой технологии изготовления транзисторов заключила с неназванным ведущим поставщиком полупроводников американская компания Atomera, 7 января сообщается на сайте сообщества инженеров в области электроники All About Circuits.
Опытное производство продукции планируется запустить на базе фирменной технологии Mears Silicon Technology (MST). Технология MST создана еще в 2001 году, но ранее активно не применялась. В связи с проблемами при освоении более тонких техпроцессов и желанием наращивать частоту работы микросхем, технологии дали ход.
Технология подразумевает введение в полупроводниковый материал очень тонкого, вплоть до атомарного, слоя кислорода. Слой формирует так называемый кислородный барьер. Введение кислородного барьера, в свою очередь, позволяет увеличить концентрацию примесей и обеспечить более направленное протекание тока.
В результате получаются транзисторы с большей подвижностью электронов, что позволяет избегать столкновений носителя (электрон или «дырка») с кристаллической решеткой. Более «легкое» протекание тока обеспечивает меньший нагрев, снижает диффузию примесей из зоны с высокой концентрацией в зону низкой и уменьшает токи утечки.
Полученные транзисторы могут переключаться с большей частотой. Кроме того, компания-разработчик заявляет, что MST позволяет улучшить такие характеристики транзисторов, как время до пробоя диэлектрика (TDDB), заряд пробоя диэлектрика (QBD), температурную нестабильность с отрицательным смещением (NBTI). Последняя характеристика определяет скорость «старения» транзисторов.
