Тайваньские производители силовой электроники столкнулись со сложностями

Изображение: Matthias Renner
Карбид кремния (SiC)
Карбид кремния (SiC)

Потенциально сильная технологическая и товарная зависимость от конкурентов грозит тайваньским производителям силовых полупроводниковых устройств, заявил эксперт Лаборатории исследования электронных и оптоэлектронных систем при правительстве Тайваньской республики Чанг Дао-чи, 16 июня сообщает тайваньское издание об информационных технологиях и электронике DigiTimes.

По мере увеличения рынков электротранспорта, быстрых зарядок для электроники и других сфер применения полупроводниковых устройств на основе карбида кремния (SiC) и нитрида галлия (GaN), это направление становится все более заманчивым для тайваньских производителей.

Компании с Тайваня, в особенности не первого звена, столкнулись с трудностями выхода на новые для себя рынки. Часть патентов на полевые транзисторы на SiC уже устарела, но они и не эффективны.

Держателями технологий на компактные и эффективные составные полупроводниковые приборы SiC являются STMicroelectronics, Infineon и Rohm. Эти компании из ЕС и Японии являются и сами производителями полупроводниковой продукции.

Тайваньским компаниям для выхода на рынок необходимо одновременно договариваться с поставщиками таких приборов о покупке лицензий и конкурировать с ними.

Одновременно 40% рынка подложек для чипов SiC контролирует американский производитель силовой полупроводниковой продукции Cree (Wolfspeed). Это также ограничивает возможности по выходу на рынок.