Сенсоры, созданные в ТГУ, испытают в Шанхайском техническом университете
Сенсоры на основе арсенида галлия, созданные на базе центра «Перспективные исследования в микроэлектронике» Томского государственного университета (ТГУ), протестируют на предмет их использования в медицинских томографах ученые Шанхайского технического университета, 10 января сообщает пресс-служба ТГУ.
Ученые ТГУ в настоящее время стали мировыми лидерами в разработке и производстве сенсоров на основе высокоомного арсенида галлия, компенсированного хромом. Особенность созданных в ТГУ сенсоров заключается в их высокой устойчивости к повреждающим факторам.
Кроме того, такие сенсоры способны считывать каждый квант с моментальным преобразованием его в импульс тока. То есть они обходятся без традиционного в таких случаях двойного преобразования — из кванта в световое излучение, а лишь потом в импульс тока.
При этом такой сенсор позволяет по импульсу тока оценить энергию каждого кванта, что в свою очередь дает возможность формировать спектральные рентгеновские изображения, повышая тем самым их информативность.
Сотрудник центра «Перспективные технологии в микроэлектронике» ТГУ Андрей Зарубин рассказал о предстоящем испытании их изделий:
«Тестирование наших устройств будет проходить в Шанхае на базе лаборатории Photonic Sensing & Imaging Lab, которую возглавляет профессор Лай Сяочунь. Сотрудники этой лаборатории занимаются разработкой счетного детектора для систем рентгеновской компьютерной томографии на основе многоэлементных сенсоров и специализированных интегральных микросхем, работающих в счетном режиме».
В этой лаборатории будет проведено исследование характеристик томских HR GaAs: Cr сенсоров, изготовленных в лаборатории детекторов синхротронного излучения центра «Перспективные технологии в микроэлектронике». Будет проверяться стабильность работы сенсоров при максимальной плотности излучения рентгеновских томографов, которая составляет до 108 квантов/пиксел.
Ученые ТГУ предоставили своим китайским коллегам основные результаты тестирования матричных HR GaAs: Cr сенсоров рентгеновского излучения, проведенного на базе ТГУ.
По итогам исследования в Шанхайском техническом университете, завершение которого предполагается летом 2024 года, будет принято решение о возможности использования сенсоров ТГУ в медицинской технике.
В пресс-релизе ТГУ отмечается, что Шанхайский технический университет также проводит исследования с использованием синхротронного рентгеновского излучения, а томские ученые являются мировыми лидерами в разработке сенсоров для источников синхротронного излучения.
Сенсоры их разработки уже стоят в исследовательских установках немецкого синхротронного центра DESY, Европейского синхротронного центра ESRF во Франции и Европейского центра ядерных исследований (CERN) в Швейцарии.
