Стали известны подробности об опытной линии производства чипов FD-SOI в ЕС
Опытная линия производства микросхем по техпроцессу 7-10 нм FD-SOI обойдется Евросоюзу (ЕС) в €830 млн по информации института CEA-Leti, 28 июня пишет британский журнал об электронике Electronics Weekly.
Половина средств от €830 млн (76,7 млрд руб.) поступит от совместного предприятия стран ЕС Chip JU, а половина — непосредственно от стран-участниц проекта. Линия FD-SOI является одним из четырех пилотных полупроводниковых производств ЕС.
На линии планируется опробовать пять типов производств: логические микросхемы по 7-10 нм FD-SOI; различные виды энергонезависимой памяти — OxRAM, FeRAM, MRAM и FeFET; ВЧ-компоненты, такие, как переключатели, фильтры, конденсаторы; сборку с двумя вариантами вертикальной интеграции микросхем; дроссели для преобразователей напряжения в схемах управления питанием чипов.
24 июня стало известно, что ЕС планирует построить опытную полупроводниковою линию в Гренобле. На линии, в частности, планируется изготавливать микросхемы по техпроцессу 7-10 нм с транзисторами FD-SOI. Такие транзисторы считаются более дешевыми и эффективными по энергии, чем FinFET.
