Samsung начала массовое производство памяти DDR5 с активным применением EUV

Массовое производство микросхем оперативной памяти DDR5 по 14 нм технологическому процессу начала компания Samsung, 12 октября сообщает пресс-служба компании.

Производство запущено с применением фотолитографического оборудования в глубоком ультрафиолете (EUV). Техпроцесс изготовления — 14 нм. Технологические нормы указаны непосредственно, а не с помощью нечетких определений. Например, «10 нм класс», оказавшийся на практике близким к нормам 20 нм техпроцесса.

С помощью EUV-литографии формируются пять слоев микросхем. Это самый высокий уровень использования EUV-литографии в отрасли производства памяти. Micron Technology и SK Hynix также освоили EUV-литографию, но по уровню ее применения отстали, несмотря на предыдущее опережение Samsung.

Уровень применения EUV-литографии позволил увеличить плотность ячеек памяти. Это, в свою очередь, привело к увеличению числа чипов памяти на одной пластине на 20%. Переход с 20 нм на 14 нм техпроцесс позволил снизить энергопотребление.