SK hynix представила модули памяти HBM3 — 24 Гб на скорости до 819 Гб/с

Работы над созданием первых модулей оперативной памяти DRAM HBM3 (High Bandwidth emory 3) завершила южнокорейская компания SK hynix, 20 октября сообщает пресс-служба компании.

Стандарт на память HBM3 еще не утвержден. Тем не менее, первые модули памяти успешно изготовлены. Компания планирует поставлять модули памяти двух емкостей — 16 Гб и 24 Гб. 24 Гб — это самый большой объем модуля в одном корпусе в отрасли.

Максимальная пропускная способность интерфейса памяти повышена до 819 Гбайт/с. Это на 78% больше, чем памяти предыдущего поколения — HBM2E. В компании считают, что такая скорость передачи нужна вовсе не для компьютерных игр, а для работы в центрах обработки данных при использовании алгоритмов машинного обучения и других требовательных к пропускной способности памяти задач.

Максимальную емкость модулей удалось повысить за счет сочетания в одной вертикальной сборке до 12 чипов памяти. В HBM2E использовалось восемь чипов в стопке. В решение этой задачи помогла лицензированная у американской компании Xperi технология особо плотного расположения отверстий сквозной металлизации (TSV). Стопку чипов пронизывают вертикальные проводники, проходящие через «тысячи мелких отверстий на чипах DRAM».