20
окт
2021
  1. За рубежом: реальный мир
  2. Электроника в мире
Сеул, / ИА Красная Весна

SK hynix представила модули памяти HBM3 — 24 Гб на скорости до 819 Гб/с

Изображение: flickr.com
Графическая память DRAM
Графическая память DRAM
Графическая память DRAM

Работы над созданием первых модулей оперативной памяти DRAM HBM3 (High Bandwidth emory 3) завершила южнокорейская компания SK hynix, 20 октября сообщает пресс-служба компании.

Стандарт на память HBM3 еще не утвержден. Тем не менее, первые модули памяти успешно изготовлены. Компания планирует поставлять модули памяти двух емкостей — 16 Гб и 24 Гб. 24 Гб — это самый большой объем модуля в одном корпусе в отрасли.

Максимальная пропускная способность интерфейса памяти повышена до 819 Гбайт/с. Это на 78% больше, чем памяти предыдущего поколения — HBM2E. В компании считают, что такая скорость передачи нужна вовсе не для компьютерных игр, а для работы в центрах обработки данных при использовании алгоритмов машинного обучения и других требовательных к пропускной способности памяти задач.

Максимальную емкость модулей удалось повысить за счет сочетания в одной вертикальной сборке до 12 чипов памяти. В HBM2E использовалось восемь чипов в стопке. В решение этой задачи помогла лицензированная у американской компании Xperi технология особо плотного расположения отверстий сквозной металлизации (TSV). Стопку чипов пронизывают вертикальные проводники, проходящие через «тысячи мелких отверстий на чипах DRAM».

Нашли ошибку? Выделите ее,
нажмите СЮДА или CTRL+ENTER