В TSMC обещали показать устройство с нанолистовыми GAA-транзисторами

Демонстрацию опытного изделия на основе нанолистовых транзисторов GAA (gate-all-around) пообещала провести на конференции IEDM компания TSMC, 21 октября пишет британский журнал об электронике Electronics Weekly.

Крупнейший в мире контрактный производитель микросхем выпустил документ — анонс доклада на конференции IEDM, которая пройдет в Сан-Франциско с 3 по 7 декабря 2022 года.

Планируется показать результаты исследования, в результате которого были созданы нанолистовые транзисторы GAA с шириной затвора 40 нм. При этом управляющий ток составил 410 мкА при предельно допустимом напряжении сток-исток (Vds).

Компания использовала монослой дихалькогенида переходного металла для полупроводникового канала. Были использованы диэлектрики на основе гафния. Толщина диэлектрика составила 3,4 нм.

Наклон подпорогового напряжения составил менее 70 мВ на декаду тока. Это указывает на то, что в закрытом положении у транзисторов будет очень низкий ток утечки.

Напомним, главный конкурент TSMC на рынке контрактного производства микросхем южнокорейская Samsung уже производит микросхемы с применением нанолистовых транзисторов.

Такой тип транзисторов был использован для техпроцесса 3 нм. В TSMC планируют использовать его для 2 нм микросхем и менее.