Разработана новая структура OLED с высокими КПД и яркостью

Создана новая структура OLED с вертикальными органическими транзисторами с проницаемой базой (ОРВТ), 8 марта сообщает портал ixbt.com.

Авторами конструкции стали ученые Технического университета Дрездена (TUD). Новую структуру назвали «светоизлучающий транзистор с органической проницаемой базой» или OPB-LET.

В нем исследователи обеспечили сочетание функций высокоэффективного переключающего элемента и органического излучателя. OLED-транзисторы или OLET представляют собой трехполюсные приборы, объединяющие внутри тонкопленочный транзистор со светодиодом.

Отмечается, что новый OPB-LET обладает высокой мощностью из-за проницаемого базового электрода, который находится в центре конструкции.

Также, по словам разработчиков, у транзистора высокий КПД, достигающий 24,6% EQE. Кроме этого, он обеспечивает хороший показатель яркости — до 12 513 кд/м2 — и низкое управляющее напряжение, составляющее менее 5,0 В.