Разработчик силовых микросхем получил поддержку британского министерства

Компания Cambridge GaN Devices (CGD) получила средства на проект ICeData по разработке «интеллектуального» силового транзистора от министерства бизнеса, энергетики и промышленной стратегии Великобритании (BEIS), 11 февраля пишет британский журнал об электронике Electronics Weekly.

Сумма и другие детали государственного финансирования проекта не раскрываются. Проект ICeData рассчитан на два года. Он предполагает разработку силового транзистора на основе нитрида галлия (GaN) с интегрированными управляющих и считывающих устройств в одном корпусе.

«Проект ICeData от Cambridge GaN Device ставит целью создание решения, которое легче, компактнее, значительно эффективнее и потенциально дешевле, чем основанные на кремнии аналоги», — заявила генеральный директор CGD Джорджия Лонгобарди.

Устройство будет иметь встроенную логику для сбора данных и защиты цепи питания от перегрузки по току и температуре и иметь скорость реакции в несколько наносекунд. «Интеллектуальный» транзистор не потребует отдельных микросхем управления затвором и другими функциями.

Устройство разрабатывает в рамках проекта создания перспективного силового модуля питания GaNext. Проект финансируется Великобританией и Евросоюзом. Он запущен в 2020 году, а в начале февраля 2022 года представлен прототип изделия. CGD поставляет для модулей питания GaN-транзисторы напряжением до 650 В со встроенной логикой.

Утверждается, что модуль может быть использован для создания перспективных систем электропитания серверов.