Samsung объявила о начале выпуска памяти третьего поколения HBM2E

Выпуск памяти с высокой пропускной способностью третьего поколения HBM2E (High Bandwidth Memory) объявила компания Samsung Electronics. Об этом 4 февраля сообщили в пресс-службе компании.

Согласно сообщению, новая память будет выпускаться под названием Flashbolt. Емкость памяти составит 16 Гб, в ней будет восемь слоев 16-гигабитных DRAM чипов класса 10 нм. Отметим, емкость памяти третьего поколения в два раза выше памяти второго поколения — HBM2 Aquabolt, у которой объем был 8 Гб.

Память третьего поколения обеспечивает скорость передачи данных 3,2 Гбит/с при максимальной скорости 4,2 Гбит/с. Массовое производство памяти начнется уже в первом полугодии 2020 года.

Напомним, анонс Flashbolt состоялся почти год назад — в марте 2019 года. Это первая в отрасли реализация памяти HBM2E, предыдущее поколение реализовывало память HBM2.