Израильская компания Weebit добилась прорыва в производстве памяти ReRAM
Выпуск опытных экземпляров памяти ReRAM по 28 нм техпроцессу осуществила израильская компания Weebit Nano, 2 октября сообщает пресс-служба компании.
Микросхемы памяти произведены на опытном производстве французской лаборатории электроники и информационных технологий CEA-Leti на 300 мм кремниевых пластинах. Достигнутый результат является важным шагом на пути к массовому производству резистивной памяти ReRAM, считают в компании.
Были произведены блоки памяти емкостью 1 Мбит по технологическому процессу 28 нм. Учитывая, что предыдущий рекорд заключался в опытном производстве чипов по техпроцессу 40 нм на 200 мм пластинах, это большое достижение.
Несмотря на успехи в опытном производстве, компания сумела пока заключить лишь один контракт на серийный выпуск изделий. Американская компания SkyWater будет выпускать память ReRAM для оборонного комплекса США по техпроцессу 130 нм.
Резистивная память ReRAM сопоставима по скорости работы и задержкам к оперативной памяти, но является энергонезависимой и более устойчива к множественным перезаписям ячеек, чем флэш-память. Преимущества делают этот вид памяти перспективным.
В настоящий момент ReRAM не может выступить альтернативой флэш-памяти, на что претендует в будущем, поскольку массовый выпуск по достаточно тонким техпроцессам не освоен. Существующие образцы чипов флэш-памяти обладают несопоставимо большей емкостью и лучшей энергоэффективностью.
