Samsung разработала высокоскоростную память для мобильных устройств LPDDR5X

Высокоскоростную оперативную память для смартфонов, устройств интернета вещей и систем периферийных вычислений DRAM Low Power Double Data Rate 5X (LPDDR5X) анонсировала компания Samsung, 9 ноября сообщает пресс-служба компании.

Анонсированы чипы объемом 16 Гбит. Они изготовляются по техпроцессу 14 нм. Заявлено, что у новой памяти в 1,3 раза более высокая пропускная способность, чем у LPDDR5. Максимальная скорость передачи данных чипа заявлена на уровне 8,5 Гбит/с.

Переход на техпроцесс 14 нм позволил снизить энергопотребление памяти на 20% по сравнению с LPDDR5. В компании сообщили, что на основе таких чипов можно создавать модули памяти объемом до 64 Гб.

«LPDDR5X расширит возможности использования высокопроизводительной памяти с низким энергопотреблением за пределы только смартфонов. Она предоставит новые возможности для приложений периферийных вычислений приложений на основе ИИ, таких как серверы и даже автомобили», — заявил старший вице-президент компании Сан-джун Хван.

Память предполагается использовать в смартфонах и других гаджетах, вычислительных системах, ориентированных на работу приложений искусственного интеллекта (ИИ), системах дополненной реальности и других задачах, требующих высокой скорости обработки данных.

Когда начнется массовое производство новой памяти, пока не сообщается.