Ученые создали прототип солнечных элементов Алферова

Прототип солнечной батареи на основе полупроводниковых соединений типа A3B5 создан группой Петербургских ученых. Об этом 4 февраля сообщает пресс-служба Санкт-Петербургского национального исследовательского университета информационных технологий, механики и оптики (ИТМО).

Прототип представляет собой один слой, поглощающий длинноволновую часть солнечного света. Он изготовлен на кремниевой подложке, на которой расположен фосфид галлия с примесью азота (GaPN).

Особенностью этого полупроводника является то, что кристаллическая структура слоя GaPN имеет те же параметры, что и кремний. В частности, важным является одинаковое расстояние между элементами.

При совмещении нескольких слоев подобных структур, поглощающих разные части солнечного спектра, есть возможность получить солнечные элементы с эффективностью до 40%. Полученный слой при добавлении мышьяка позволит создать другие слои батареи, поглощающие другие части солнечного спектра.

Читайте также: Педагог о главной заслуге Жореса Алфёрова: он создал целую научную школу

Напомним, в настоящее время наиболее эффективные солнечные батареи имеют 25% эффективности. Существование солнечных батарей со структурой A3B5 было предсказано лауреатом нобелевской премии Жоресом Ивановичем Алферовым.