В МФТИ провели исследования нового материала для микросхем памяти

Свойства феррита никеля позволяют использовать его для разработки быстродействующих микросхем резистивной памяти, сообщили ученые из Московского физико-технического института 15 декабря в статье для журнала Computational Materials Science.

Согласно материалам исследования, проведенного учеными МФТИ, Объединенного института высоких температур (ОИВТ) РАН, Тайваньского исследовательского центра прикладных наук и Государственного университета Индонезии, сложный оксид железа и никеля — феррит никеля при наличии в нем точечных дефектов имеет свойства, позволяющие использовать его для спинтроники и производства микросхем резистивной памяти.

Исследователи установили, что в кристаллах феррита никеля могут образовываться каналы проводимости из двойных кислородных вакансий, что позволяет в перспективе применять этот материал для создания быстродействующих устройств энергонезависимой памяти.

По словам профессора физического факультета ИТМО, доктора физико-математических наук Валерия Уздина, проведенные исследования — это являются только первым из необходимых шагов в направлении разработки электронных устройств из новых материалов.