Компания ASML предсказала появление чипов с 300 млрд транзисторов
Создание оборудования, позволяющего производить микросхемы с 300 млрд транзисторов, запланировал к 2030 году крупнейший в мире производитель литографического оборудования нидерландская ASML, 30 сентября сообщает американское интернет-издание о компьютерных технологиях Tom’s Hardware.
В компании считают, что достичь этой цели можно, развивая производство сразу в двух направлениях. Во-первых, необходимо добиваться повышения плотности размещения транзисторов, для чего нужно уменьшать технологический процесс производства. Во-вторых, оптимизировать компоновку чипов.
В ASML убеждены, что закон Мура, который говорит об удвоении количества транзисторов на микросхеме каждые полтора-два года, все еще действует. Если современный графический процессор GA100 от NVIDIA содержит 54 млрд транзисторов при 826 мм2 площади, то к 2030 году получится добиться 300 млрд транзисторов при меньшей площади.
Для этого придется уменьшать техпроцесс заметно ниже текущих передовых 5 нм. Для техпроцессов 3 и 2 нм следует использовать транзисторе на основе нанолистов, считают в компании. Причем для этого понадобится фотолитография в глубоком ультрафиолете (EUV).
Проблемы начнутся при переходе к техпроцессу 1,5 нм. Для техпроцесса 1 нм вновь придется менять архитектуру транзисторов. На этом уровне предпочтительной станет технология CFET (Complementary-Field Effect Transistors). На более тонком техпроцессе уже будут использоваться транзисторы на основе двумерных атомарных каналов.
К 2030 году стандартом станет чип с 50 млрд транзисторов. Применяя многочиповую технологию будет получен процессор с 300 млрд транзисторами.
