Samsung предложила уменьшить производимые чипы без их перепроектирования
Гибридный технологический процесс производства чипов 17 нм, совмещающий 14 нм транзисторы и 28 нм соединения, анонсировала компания Samsung, 6 октября сообщает электронный журнал о компьютерах и гаджетах AnandTech.
Техпроцесс 17 нм предназначен для клиентов контрактного производства, которые хотят получить преимущества производительности и энергопотребления 14 нм техпроцесса без перепроектирования чипов. Естественно, за дополнительные деньги.
14 нм и 28 нм техпроцессы используют разную структуру транзисторов — PlanarFET для 28 нм и FinFET для 14 нм. Кроме того, применяются разные правила проектирования микросхем. Южнокорейский производитель предлагает упростить перепроектирование производимых по зрелым техпроцессам чипов за счет перевода на 14 нм только активных элементов чипа.
Выделяется несколько этапов производства чипов. На первом этапе (Front-End-Of-Line, FEOL) происходит формирование транзисторов и иных активных элементов микросхемы. На дальнейших формируются вспомогательные узлы и соединения между активными элементами. В новом промежуточном техпроцессе предлагается совместить 14 нм для этапа FEOL и 28 нм для последующих.
Согласно заявлениям Samsung, подобное решение приведет к уменьшению площади чипа на 43% и повышению энергоэффективности на 49%, либо увеличению производительности на 39%.
Отмечается, что такое контрактное производство может быть востребованным, несмотря на зрелый техпроцесс. Большинство чипов в мире выпускается именно по зрелым техпроцессам. Они обеспечивают заметно меньшую стоимость чипа при достаточных для многих изделий характеристиках. Кроме того, перепроектирование чипов под новый техпроцесс требует значительных затрат времени и средств, что повлечет за собой увеличение стоимости конечной продукции.
