Ученые выявили перспективный полупроводниковый материал — соединение бора

Высокие показатели одновременно электронной и дырочной проводимости обнаружили у одной из форм арсенида бора исследователи из США и Китая, 22 июля пишет американский электронный журнал об электронике Semiconductor Digest.

Исследователи обнаружили, что кубическая форма кристалла арсенида бора обладает одновременно высокой электронной и дырочной проводимостью при комнатной температуре, обладая при этом хорошими показателями теплопроводности. Это делает материал перспективным для коммерческого применения.

Различные подходы выявили подвижность электронов от 1500 до 3000 см²/(V·s) (полупроводник n-типа), а подвижность при дырочной проводимости — свыше 3000 см²/(V·s) (полупроводник p-типа).

На разных этапах исследования в работе принимали участие исследователи из Хьюстонского университета, Массачусетского технологического института, Техасского университета в Остине и Бостонского колледжа со стороны США, пекинского Национального центра нанонауки и технологий, а также ряда других китайских институтов.

Ученые пока не смогли добиться формирования достаточно крупных кристаллов с постоянными свойствами. Работа в этом направлении продолжается.