Компания ASML смогла повысить разрешение и скорость работы EUV-литографии
Разрешение засветки полупроводниковых пластин смог повысить ведущий производитель литографического оборудования ASML, 28 мая сообщает американское интернет-издание о компьютерных технологиях Tom’s Hardware.
На выставке imec ITF World 2024 представители компании заявили, что смогли добиться сразу двух новых и важных результатов — увеличения разрешения печати и заметного повышения скорости.
Применяемое сейчас в массовом производстве чипов литографическое оборудование позволяет добиться точности печати до 13,5 нм, что соответствует длине волны применяемого источника излучения. Два месяца назад в ASML заявили, что совместно с институтом imec смогли получить разрешение 10 нм. Теперь заявлено о достижении отметки в 8 нм.
Помимо снижения минимального размера элементов удалось радикально повысить скорость. Скорость производства удалось поднять с текущих 200 300 мм пластин в час до 400–500.
На повышения скорости обработки пластин ASML делает главную ставку. Чем тоньше техпроцесс, тем дороже и сложнее переход на него, тем больше надо произвести чипов для снижения стоимости конечных изделий. Повышение скорости печати позволяет компенсировать часть затрат на оборудование, инфраструктуру, технологии и освоение нового техпроцесса.
Напомним, техпроцессы 3, 5, 7 нм, называемые ведущими производителями чипов, не указывают на размеры отдельных элементов. Это синтетическая мера, которая частично носит маркетинговый характер.
3 нм означает, по сути то, что через полупроводниковый переход электроны или «дырки» проходят со скоростью, как если бы переход с обычной структурой был размером 3 нм. Для этого применяются специальные физические и химические манипуляции с материалом полупроводниковой структуры.
