Infineon начала выпускать силовые GaN-полупроводники на 300 мм пластинах

Пилотный выпуск силовых полупроводниковых приборов на основе нитрида галлия (GaN) на пластинах диаметром 300 мм начала германская компания Infineon Technologies, 12 сентября пишет британский журнал об электронике Electronics Weekly.

Передовые логические микросхемы давно выпускаются на пластинах 300 мм. Это, по сути, уже стандарт. На пластинах диаметром 150 и 200 мм выпускаются в основном полупроводниковые приборы с грубыми техпроцессами.

С силовой электроникой дело обстоит иначе. Во-первых, стандарт в ней — все пластины 200 мм. Во-вторых, здесь изменились полупроводниковые материалы. Силовые полупроводники всё чаще используют карбид кремния, арсенид и нитрид галлия. Другие материалы — другие технологии подготовки пластин.

300-мм кремниевая пластина имеет в 2,3 раза большую эффективную площадь, что позволяет произвести больше приборов за одну загрузку. Отмечается, что значительная часть оборудования для формирования полупроводниковых приборов на основе кремния также применима и к производству на основе нитрида галлия.

Таким образом, европейская Infineon планирует занять лидерские позиции на растущем рынке GaN-полупроводников.