Samsung начал производство 3-нанометровых полупроводников
Samsung Electronics Co. начала массовое производство 3-нанометровых полупроводников, обогнав лидера этого производства TSMC, говорится в заявлении компании 30 июня, сообщает южнокорейское агентство Yonhap.
В компании отметили, что создание таких чипов стало возможным за счет применения новой технологии Gata-All-Around (GAA), которая, как ожидается, позволит сократить площадь до 35 процентов, обеспечивая при этом на 30 процентов более высокую производительность и на 50 процентов более низкое энергопотребление по сравнению с существующим процессом FinFET.
В Samsung утверждают, что уже запущенный в серию 3-нм технологический узел первого поколения позволяет сократить площадь на 16%, повысить производительность на 23% и снизить энергопотребление на 45%.
В компании рассчитывают, что ее новый продукт заинтересует клиентов, которым нужны более производительные продукты.
«Мы будем продолжать разрабатывать инновационные технологии и работать над быстрым внедрением зрелого технологического процесса», — заявил Чой Си Ен, президент и глава литейного подразделения Samsung.
