Компания SK hynix представила микросхемы DDR5 объемом 24 Гбит

Микросхемы оперативной памяти DDR5 увеличенного объема 24 Гбит представил южнокорейский производитель памяти SK Hynix, 15 декабря сообщает портал о видеокартах VideoCardz.

Чипы изготавливаются по четвертому поколению 10 нм технологического процесса (1anm) с применением фотолитографии в глубоком ультрафиолете (EUV). На микросхемах можно создавать модули оперативной объемом 48 и 96 Гб. Ранее существовавшие на рынке микросхемы были объемом 16 Гбит.

Производитель заявляет о улучшенной производительности чипов по сравнению с существовавшими ранее решениями на 25% по энергоэффективности и на 33% по скорости. Модули на базе новых микросхем предназначены для высокопроизводительных вычислений, в частности, для серверов обработки больших данных с использованием машинного обучения.

Высокая емкость кристаллов памяти будет полезна для требовательных к оперативной памяти вычислительных нагрузок, таких как анализ данных. Это позволит снизить совокупную стоимость владения приложениями, прокомментировала новинку вице-президент подразделения центров обработки данных Intel Кэролайн Дюран.