Samsung ускорит строительство фабрики по производству памяти — СМИ
Подготовку к запуску третьей фабрики по производству полупроводников в городе Пхёнтхэк (Южная Корея), известной как P3 (Pyeongtaek Line 3), ускорит компания Samsung Electronics, 6 мая сообщает корейское издание Pulse со ссылкой на источники в отрасли.
По данным неназванного источника, компания сокращает сроки реализации проекта P3, к которому она приступила в сентябре 2020 года. При этом оборудование будет введено в эксплуатацию одновременно с завершением строительства здания к весне 2022 года, сообщил источник.
Судя по использованному оборудованию, фабрика будет производить флэш-память V-NAND седьмого поколения, содержащую 176 и более слоев, а также микросхемы динамической памяти DRAM, изготовленные по 10 нм техпроцессу с использованием литографии в глубоком ультрафиолетовом излучении (EUV), сообщает издание.
Использование этих технологий позволит повысить производительность на пластину и удовлетворить взрывной спрос на чипы памяти. По данным издания, создание такого производства может обойтись Samsung Electronics в сумму от $26,7 до $44,3 млрд при начале массового производства с 2023 года.
При этом источник издания отметил, что в компании пока не решили, будет ли новая фабрика работать также и по контрактным заказам сторонних компаний, однако предположил, что это может зависеть от объемов таких заказов.
Кроме того, издание сообщает, что презентация подробностей проекта, планировавшаяся Samsung Electronics на январь 2021 года, была отложена, предположительно из-за приговора, вынесенного генеральному директору и фактическому главе компании Ли Чжэ Ёну. Его приговорили к 2,5 года тюремного заключения по обвинению во взяточничестве.
