Samsung может начать применение 3-нм техпроцесса с собственных чипов
Применение 3-нм технологии южнокорейская компания Samsung Electronics может начать со своих собственных микросхем, 14 июля пишет BusinessKorea.
Samsung Electronics недавно представила план развития своего бизнеса по производству полупроводников. На 2023 год в плане нет серийного выпуска 3-нм чипов первого поколения.
Samsung Electronics ранее объявила, что с 2022 года представит 3-нм техпроцесс.
Издание сообщает со ссылкой на аналитиков в отрасли, что компания не раскрыла свой план в отношении 3-нм техпроцесса первого поколения, вероятно, потому, что планирует сначала применить его к микросхемам собственной разработки, прежде чем использовать его для клиентов.
Отмечается, что полупроводники, произведенные по 3-нм технологии, на 35% меньше, чем 5-нм аналоги.
Samsung Electronics будет применять технологию Gate all around (GAA) к 3-нм техпроцессу вместо старого метода FinFET. Технология GAA — это технология нового поколения, которая увеличивает контактную поверхность затвора и канала транзистора до четырех.
Synopsis, американская компания, занимающаяся автоматизацией электронного проектирования (EDA), объявила в прошлом месяце, что ей удалось в сотрудничестве с Samsung Electronics удалить 3-нм техпроцесс, основанный на технологии GAA. Ожидается, что Samsung Electronics после проверки приступит к испытаниям технологии литейного производства 3-нанометров.
