TSMC установит 2-нм тестовую линию к концу 2021 года

Пробную линию для производства полупроводников с уровнем 2 нм тайваньская компания TSMC запустит в городе Синьчжу к концу 2021 года, заявил генеральный директор фирмы Си-Си Вэй 2 мая на брифинге, сообщает японская газета Nihon Keizai Shimbun.

В сообщении говорится, что TSMC укрепит свою монополию на рынке высокотехнологичных полупроводников, увеличив разрыв со своим главным конкурентом Samsung Electronics.

На текущий момент самая передовая производственная линия тайваньской фирмы работает с уровнем 5 нм. Она освоила его на несколько месяцев раньше своего ближайшего конкурента корейской компании. Во второй половине 2022 года TSMC планирует запустить серийное производство микросхем с уровнем 3 нм.

Напомним, уровень полупроводникового производства на сегодняшний день не означет размер транзистора. Изменение технологии выпуска с 5 нм до 3 нм будет означать, что специалисты компании каким-либо способом добились увеличения плотности размещения транзисторов во столько раз, как если бы их размер уменьшился с 5 нм до 3 нм.