Еще больше, еще быстрее. В Китае представили новое поколение флеш-памяти

Микросхему 128-слойной флеш-памяти QLC 3D NAND представила компания Yangtze Memory 14 августа на выставке China Electronic Information, сообщает портал ИТ-новостей из Китая cnTechPost.

Компания представила на выставке два чипа флеш-памяти — 64- и 128-слойную. 128-слойная является образцом второго поколения полностью китайской флеш-памяти. Первое поколение было выпущено в апреле 2020 года.

Память основана на новой архитектуре Xtacking 2.0. Емкость чипа и скорость работы заметно выросли. Производительность последовательного ввода вывода и для чтения, и для записи заявлена на уровне 1,6 Гбит/с, а емкость одного чипа — 1,33 Тб. Это в 5,33 больше, чем у первого поколения.

Стоит отметить, что 128-слойная QLC память — передовой показатель для общемировой отрасли. Первая 128-слойная память вышла на рынок в конце 2019 года. В отношении плотности записи Китай отстает от передовых компаний мира менее, чем на год.