Huawei и SMIC решили создать производство 3 нм чипов на DUV-литографии

Патент на применение четырехкратного формирования рисунка микросхемы с использованием литографии в глубоком ультрафиолете (DUV) подала китайская корпорация Huawei, 28 мая сообщает американское интернет-издание о компьютерных технологиях Tom’s Hardware.

После закрытия возможности производить чипы на мощностях тайваньской TSMC компания Huawei совместно с крупнейшим китайским контрактным производителем полупроводниковой продукции SMIC начали работать совместно над развитием технологий производства.

В 2023 году анализ одной из микросхем китайского производства показал, что с помощью не самой передовой DUV-литографии SMIC удалось добиться процесса производства с нормами 7 нм. TSMC и Samsung перешли на более передовую литографию в экстремальном ультрафиолете (EUV, длина волны 13,5 нм) уже со второго поколения 7 нм техпроцесса.

Ряд экспертов полагал, что китайские компании ввиду отсутствия доступа к передовому оборудованию из-за санкций будут добиваться техпроцесса 5 нм с помощью многократного формирования рисунка. Но новые патенты показывают, Huawei и SMIC замахнулись на 3 нм.

Отмечается, что в случае успеха стоимость производства чипов с нормами 5 и 3 нм будет выше, чем на мощностях TSMC, а скорость — ниже. Тем не менее, это открывает возможность Китаю делать более производительные и энергоэффективные чипы пока нет собственного передового оборудования производства.