Samsung может обойти TSMC в сфере технологий производства чипов — Digitimes
Samsung собирается стать первым в мире контрактным производителем микросхем, который освоит технологию производства чипов на транзисторах с круговым затвором (GAA) 3 нм. Это может произойти в 2022 году, сообщают источники.
Главный конкурент Samsung — и как контрактный производитель чипов, и как технологический лидер отрасли — тайваньская TSMC собирается запустить коммерческое производство чипов 3 нм на трехмерных транзисторах (FinFET) только в 2023 году, считают источники портала.
Напомним, ранее сообщалось, что массовое производство чипов 3 нм TSMC начнет в конце 2022 года.
TSMC и Samsung далеко опередили остальные полупроводниковые компании в деле освоения новых технологий. Обе компании производят чипы по техпроцессу 5 нм. Ближайший преследователь Intel осваивает технологию 7 нм.
С уменьшением размеров полупроводниковых структур увеличивается быстродействие чипов и уменьшается энергопотребление. Это особенно важно на высококонкурентном рынке процессоров для мобильных устройств. Чтобы привлечь клиентов, производителям смартфонов необходимо постоянно улучшать характеристики своих устройств, но с учетом ограниченного запаса энергии в аккумуляторной батарее.
Ведущие разработчики процессоров для мобильных устройств, компьютеров и видеокарт являются главными потребителями новых полупроводниковых технологий — Apple, AMD, NVIDIA, Qualcomm, MediaTek, Intel и сам Samsung.
Технология трехмерных транзисторов (FinFET) появилась довольно давно, но близка к пределу своих возможностей. Новая технология транзисторов с круговым затвором может стать путем к дальнейшему уменьшению их размеров.
