SK hynix продемонстрировала модуль памяти HBM3 со скоростью до 819 Гб/с

Модуль высокоскоростной оперативной памяти HBM3 (High Bandwidth Memory 3) емкостью 24 Гб продемонстрировала южнокорейская компания SK hynix 10 ноября на конференции Open Compute Project Global Summit 2021, сообщает портал о видеокартах VideoCardz.

Модуль памяти представляет собой стопку чипов памяти емкостью 16 Гбит, пронизанную вертикальными проводниками. Максимальная емкость одного модуля достигает 24 Гбайт. Компании удалось увеличить количество чипов в одной «стопке» с восьми у HBM2E до 12, это и сказалось на конечном объеме.

Максимальная скорость передачи данных на один контакт достигает 6,4 Гбит/с. Это больше, чем заявлено в спецификации JEDEC — 5,2 Гбит/с. Компания самостоятельно увеличила скорость. Суммарная скорость передачи данных модуля с интерфейсом 1024 бит составляет 819,2 Гбайт/с. Это на 78% больше, чем у HBM2E.

Ранее в компании заявляли, что разработанная память будет использоваться в центрах обработки данных в вычислительных системах, требовательных к высокой пропускной способности памяти. Например, при обучении и работе искусственных нейросетей.

Память HBM2 использовали в некоторых игровых видеокартах. В SK hynix считают, что для современных компьютерных игр такая скорость оперативной памяти избыточна.