В Индии начали строить первый завод по выпуску полупроводников

Первый завод полного процесса (End-to-End) выпуска кремниевых полупроводниковых изделий начали строить в Индии, сообщает 2 ноября газета The Indian Express.

«В субботу (1 ноября — прим. ИА Красная Весна) главный министр штата Одиша Мохан Чаран Маджи провел церемонию закладки фундамента первого в стране завода по производству полупроводников из карбида кремния», — говорится в сообщении.

Предприятие строится индийской компанией SiCSem Private Limited в сотрудничестве с британской фирмой Class-SiC Wafer Fab Ltd. Оно будет находиться рядом со столицей штата городом Бхубанешваром. Для этого власти передали участок земли площадью примерно 9 га. На все работы компания выделила ~$230 млн (~18,5 млрд руб.).

После запуска на полную мощность завод должен выпускать 60 000 полупроводниковых пластин в год или 96 миллионов изделий. На объекте должны работать в итоге около 5000 сотрудников.

Предполагается, что продукция будет применяться в ракетно-космической технике, изделиях ОПК, электромобилях, на железной дороге, в зарядных устройствах, бытовой технике, солнечных батареях и др.

SicSem, помимо завода, готовит и научно-исследовательский центр, на что выделено около $7 млн (~560 млн руб.). Вклад в этот центр сделал и министр электроники и информационных технологий индии Ашвини Вайшнау. Из своего фонда он выделил $0,5 млн (~40 млн руб.).