Китай начал строительство второй очереди производства памяти

Строительство второго этапа производства микросхем памяти начато в китайском Ухане компанией Yangtze Memory, 21 июня сообщает cnTechPost.

Запланированная мощность производства – 200 тыс. кремниевых пластин в месяц. Как и на мощностях первой очереди, здесь будут производиться микросхемы флэш-памяти 3D NAND. Совокупный объем выпуска, таким образом, составит 300 тыс. пластин.

Производство запускается согласно первоначального плана 2016 года. Суммарные инвестиции составят $24 млрд. Стоит отметить, что первая очередь производства пока не задействована на полную мощность. Плановый объем в 100 тыс. пластин должен быть достигнут только к концу года.

Тем не менее, в апреле компания Yangtze Memory начала выпускать конечные продукты — 128-слойную память QLC 3D NAND. А в мае выпущены первые твердотельные накопители полностью китайского производства.