Исследования ученых приблизили создание сверхбыстрой памяти компьютеров

Экспериментальные исследования зависимости скорости движения доменной стенки от температуры в ферримагнитных структурах для создания сверхбыстрых устройств магнитной памяти нового поколения провели ученые Дальневосточного федерального университета (ДВФУ) совместно с японскими коллегами. Об этом со ссылкой на пресс-службу Минобрнауки России сообщил 26 мая портал «Научная Россия».

Исследования проводились в рамках работ по созданию структур из ферримагнетиков — магнитных материалов, в которых намагниченность сравнима с ферромагнетиками, но при этом имеющих динамические характеристики, схожие с антиферромагнетиками.

Применение таких материалов совместно с тяжелыми металлами дает возможность получить при возбуждении магнитных моментов субтерагерцовых частот, что позволит осуществить сверхбыстрое переключение битов информации.

Проведенное учеными исследование зависимости скорости движения доменных стенок в ферримагнитных структурах от температуры подтвердило теоретическую модель, ранее предложенную учеными. Для выбранных температурных режимов (≥ 240 К) была получена максимально достижимая скорость доменной стенки.

Участник исследования доцент Института наукоемких технологий и передовых материалов ДВФУ Максим Стеблий рассказал: «Эти результаты направлены на разработку устройств на основе движения доменных стенок, поскольку в настоящее время ферримагнетики привлекли значительное внимание как новая материальная платформа для ферримагнитной спинтроники. Мы надеемся, что наши результаты будут стимулировать развитие более полной теории и предоставят дополнительные знания для понимания лежащей в основе физики магнитной динамики ферримагнетиков».

Результаты исследования были представлены в статье «Температурная зависимость ползучести доменных границ в ферримагнитных микропроводах Tb/CoFeB/MgO», опубликованной в Journal of Magnetism and Magnetic Materials.