Начат выпуск чипов надежной памяти STT-MRAM для армии США

Выпуск микросхем магниторезистивной оперативной памяти STT-MRAM емкостью 1 Гбит начат компанией Micross, 15 сентября сообщает интернет-издание The Register.

Чипы выпускаются в интересах военно-промышленного комплекса США. Отличительной основе оперативных запоминающих устройств (ОЗУ) технологии MRAM является высокая надежность. Память имеет практически неограниченный ресурс записи и может работать в широком температурном диапазоне.

Чипы упаковываются в керамические корпусы типа LGA и BGA размерами 18 на 20 мм. Микросхемы изготавливаются по технологическому процессу 22 нм. Они могут работать в температурном диапазоне от -40°C до 125°C, не боятся радиации и резких перепадов температуры.

Память MRAM имеет более высокую скорость работы и меньшую задержку чтения и записи, чем динамическая ОЗУ DRAM, за счет меньшего времени доступа (210 пс против единиц и десятков наносекунд у DRAM). Однако, предполагается использовать память в качестве энергозависимого постоянного накопления данных, а не как замену ОЗУ в вычислительных системах.