BAE Systems переведет космическую электронику на техпроцесс 12 нм

Компания BAE Space Systems получила контракт Министерства обороны США на разработку новой версии интегральных микросхем, основанных на техпроцессе 12 нанометров для использования в космической электронике. Об этом 6 декабря сообщает пресс-служба компании.

Компания собирается создать защищенные от действия радиации микрочипы с техпроцессом 12 нанометров взамен используемым сейчас 45-нанометровым чипам.

«Переход от 45-нанометрового техпроцесса к 12-нанометровому позволяет устанавливать больше транзисторов на каждый чип при сниженном энергопотреблении за операцию, что повышает функциональность», — сказал директор BAE Systems Рикардо Гонсалес.

Также представитель компании добавил, что новые чипы будут доступны всему сообществу компаний, работающих в космической сфере. Уменьшенные габариты новых чипов являются «важным фактором в космических аппаратах, где объем и мощность являются ограниченными ресурсами».

Отметим, к микроэлектронике, предназначенной для работы на орбите Земли, предъявляются требования устойчивости к воздействию радиации. Причем эти требования отличаются для космических аппаратов, работающих на низкой околоземной орбите, и для спутников, которые работают на более высоких орбитах, за пределами радиационного пояса Земли, где магнитное поле планеты не защищает аппарат от галактической и солнечной радиации.

Кроме этого, директор BAE Systems сказал, что новые чипы будут протестированы на соответствие стандартам класса V и Q, указанным в перечне производителей (QML), которые используются правительством и космической промышленностью США.