Ученые создали прототип революционной памяти UltraRAM «в кремнии»

Выпуск опытных микросхем памяти UltraRAM на кремниевой подложке смогли осуществить специалисты лаборатории факультета физики Уорикского университета, 6 января сообщает пресс-служба Ланкастерского университета.

Память UltraRAM была разработана учеными Ланкастерского университета. Память интересна тем, что может использоваться в качестве постоянной и хранить данные до 1 тыс. лет. При этом она работает со скоростью оперативной памяти и имеет около 10 млн циклов перезаписи.

Скорость переключения для ячеек размером 10–20 мкм заявлена на уровне менее 10 мс. При этом используется напряжение 2,5 В. Теоретическое быстродействие заявлено на уровне 10 нс. Подобные характеристики минимизируют различия между оперативной и постоянной памятью.

Если UltraRAM удастся довести до массового производства с сохранением заявленных характеристик, память можно будет использовать для встраивания в микросхемы и сложные системы на кристалле. Такие вычисления в памяти все больше востребованы в электронике.

Память UltraRAM хранит данные в виде небольших зарядов (вплоть до нескольких электронов). Они запираются в ячейке с помощью запрещенной зоны полупроводников. Подача нужного уровня напряжения позволяет снимать барьер.